為了確保滿足ASTM G151、ASTM G154、ASTM G155和ISO 4892對(duì)老化試驗(yàn)噴淋用水和冷凝用水的要求，并避免在老化試驗(yàn)箱內(nèi)樣品表面形成水垢。用戶需要了解不同的實(shí)驗(yàn)室加速老化試驗(yàn)機(jī)對(duì)用水的要求，今天我們將介紹QUV紫外老化箱，Q-SUN氙燈老化箱和Q-FOG鹽霧箱對(duì)供水的要求。
首先，除了以下三個(gè)型號(hào)(QUV/Spray，QUV無(wú)噴淋型老化箱和Q-FOG CRH鹽霧箱)，Q-LAB統(tǒng)一了不同型號(hào)的加速老化箱的用水要求。具體查看下表：
| 試驗(yàn)箱型號(hào) | 電阻率(Ω-cm) | 導(dǎo)電性(μS/cm) | 總?cè)芙夤腆w (ppm) | 膠態(tài)二氧化硅(ppm) | PH |
| QUV/basic，QUV/se 和QUV/cw | 常規(guī)水即可 | ||||
| QUV/spray，Q-FOG CRH | > 5M | < 0.2 | < 0.1 | < 0.1 | 6-8 |
| 其他型號(hào)設(shè)備 | > 200k | < 5 | < 2.5 | not specified | 6-8 |
第二，在帶水噴淋的氙燈試驗(yàn)箱中，除了去離子水之外，還需要一個(gè)反滲透系統(tǒng)，防止樣品上出現(xiàn)水漬。
在供水系統(tǒng)中，有些型號(hào)對(duì)用水要求會(huì)更嚴(yán)格，有些則相對(duì)寬松。詳細(xì)如下：
Q-SUN Xe-3-H氙燈老化箱過(guò)去要求水的電阻率大于500 kω-cm，研究表明這一條件高于必要值。
Q-FOG SSP鹽霧試箱，Q-FOG CCT鹽霧腐蝕試驗(yàn)箱和Q-SUN Xe-2氙燈加速老化機(jī)過(guò)去要求水電阻率大于50kω。然而，研究表明，這不足以防止礦物結(jié)垢和積聚。此外，大多數(shù)鹽霧試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)要求純水電阻> 200kω-cm。此外，達(dá)到200kω的水純度不再困難或增加成本，使用反滲透或去離子裝置即可輕松實(shí)現(xiàn)。
現(xiàn)在，Q-LAB建議在Q-SUN氙燈老化試驗(yàn)箱中使用RO/DI(反滲透/去離子)水進(jìn)行噴淋。注意：Q-LAB為QUV/spray紫外線老化箱和Q-SUN氙燈老化箱配備了水再凈化系統(tǒng)，但該系統(tǒng)不能代替RO/DI系統(tǒng)。
水再凈化系統(tǒng)存在的問(wèn)題
首先，原有的水凈化系統(tǒng)去除硅膠的效率隨著時(shí)間的累積會(huì)越來(lái)越低。這可能導(dǎo)致快速結(jié)垢，就像我們?cè)趯?shí)驗(yàn)室中經(jīng)常看到的那樣。相比之下，反滲透系統(tǒng)可以在相對(duì)長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)持續(xù)有效地運(yùn)行，而不會(huì)將二氧化硅重新投放到水中。
第二，只有當(dāng)用于處理低礦物質(zhì)含量的水時(shí)，原有的水凈化系統(tǒng)才是高度經(jīng)濟(jì)的，大多數(shù)有地表水源的城市，如克利夫蘭就是這種情況。然而，如果水源來(lái)自地下水，如在亞利桑那州和鳳凰城，這種地下水具有相對(duì)較高的礦物質(zhì)含量，因此用反滲透處理更經(jīng)濟(jì)。要點(diǎn)是單獨(dú)的反滲透不能滿足500 kω-cm以上的純度水平，并且需要將水去離子以滿足純度要求。
值得注意的是，并非所有出現(xiàn)在樣品表面的二氧化硅斑點(diǎn)都是由水中的雜質(zhì)引起的。也可能是材料降解造成的。除了Q-SUN氙燈老化是化試驗(yàn)箱，這些斑點(diǎn)也可能在自然老化過(guò)程中出現(xiàn)。如果在使用QUV紫外老化箱，Q-SUN氙燈老化箱和Q-FOG鹽霧箱的過(guò)程中遇到供水用水問(wèn)題，可以找我們解決。
與本文關(guān)聯(lián)的產(chǎn)品:
